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Enregistrement W1999353473 · doi:10.1038/am.2013.29

Thin-film metal oxides in organic semiconductor devices: their electronic structures, work functions and interfaces

2013· article· en· W1999353473 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.

Notice bibliographique

RevueNPG Asia Materials · 2013
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueOrganic Electronics and Photovoltaics
Établissements canadiensUniversity of Toronto
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMaterials scienceWork functionNanotechnologyOrganic semiconductorThin filmSemiconductorElectrodeOxideOptoelectronicsCharge carrierEngineering physicsLayer (electronics)Chemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Thin-film metal oxides are among the key materials used in organic semiconductor devices. As there are no intrinsic charge carriers in a typical organic semiconductor, all charges in the device must be injected from electrode/organic interfaces, whose energetic structure consequentially dictates the performance of devices. The energy barrier at the interface depends critically on the work function of the electrode. For this reason, various types of thin-film metal oxides can be used as a buffer layer to modify the electrode work function. This paper provides a review on recent progress in metal oxide/organic interface energetics, oxide valence structure and work function, as well as the impact of defects and interfacial reactions on oxide work functions. This review provides a rational guide to process engineers in selecting the best suitable electrode/oxide structures for a targeted applications. Organic semiconductors offer an attractive alternative to the traditional, silicon-based components of electronic devices. Cheaper to produce and more sustainable, they can also introduce different attributes, such as flexibility, to these devices. However, as organic materials do not typically possess intrinsic charge carriers — electrons or holes — all charges in the device must originate from the electrode and pass through the electrode-organic material interface, a process hindered by an energy barrier. Mark Greiner and Zheng-Hong Lu review recent achievements in a versatile class of buffer layer — thin films of transition metal oxides — that can be positioned between the two materials to reduce the energy barrier that limits charge injection. The researchers discuss how to select the most suitable metal oxide for a specific purpose, and then tune the thin film's properties by adjusting the thickness of the metal oxide layer, the oxidation state of its cations and the concentration of its defects. Over the last decade, metal oxides have proven to be important materials for organic electronics. Oxides are often used as charge-injection and charge-selective interlayers to engineer the electrical resistance at electrode/organic interfaces in organic devices. An oxide’s behavior as an interlayer depends strongly on the oxide’s electronic properties—such as its band structure and work function. The numerous degrees of freedom in an oxide’s electronic properties allow these characteristics to be easily modified. The present review outlines the use of metal oxides in organic electronics, and discusses the factors that affect the oxide’s properties that are relevant to oxide/organic interfaces.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesCharge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,006
Score d'incertitude au seuil0,997

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0040,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,007
Tête enseignante GPT0,185
Écart entre enseignants0,178 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle