Profile evolution simulator for sputtering and ion-enhanced chemical etching
Notice bibliographique
Résumé
A plasma etching profile simulator was developed to investigate the evolution of pattern profiles in various materials under different plasma conditions. This simulator is based on a two-dimensional cellular method. The model is fed with input parameters that include angular dependent etch yield, ion and neutral angular distribution, and plasma and material characteristics. It has been tested by comparison with published profiles of Si sputtering and SiO2 ion-assisted chemical etching in argon and chlorine plasmas. Observed microtrenching and bowing have been well reproduced by the simulator. The simulator was further used to examine etching for dimensions below nanometer in low-pressure high-density plasmas. In the case of Si sputtering, trenches of 100 nm depth and 30 nm or less width show unusual lateral etching. Finally, the effect of positive charge accumulation on an insulated mask resulting from negative bias voltage on the wafer was studied. This charge accumulation causes a deflection of ion trajectories. Considering this phenomenon, very isotropic etched profiles were found, in good agreement with in-house experimental profiles of platinum sputtering in argon plasma. The simulator developed is intended to be used for any material and mask combination in order to predict the profile evolution under various plasma conditions and pattern dimensions from micrometer to nanometer.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».