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Enregistrement W2011413832 · doi:10.1116/1.1520551

Electrical conductivity of sidewall-deposited fluorocarbon polymer in SiO2 etching processes

2002· article· en· W2011413832 sur OpenAlexaff
Tadashi Shimmura, S. Soda, Seiji Samukawa, Mitsumasa Koyanagi, Kazuhiro Hane

Notice bibliographique

RevueJournal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena · 2002
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiquePlasma Diagnostics and Applications
Établissements canadiensHatch (Canada)
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésFluorocarbonEtching (microfabrication)Materials scienceWaferFabricationConductivityElectrical contactsSiliconDry etchingReactive-ion etchingContact resistanceOptoelectronicsPolymerNanotechnologyComposite materialChemistryLayer (electronics)

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

High-aspect-ratio SiO2 contact hole etching is one of the key processes in the fabrication of ultralarge scale integration devices. However, there are many serious problems, such as charge-build-up damage, etching-stop, and microloading effects. Charge accumulation in high-aspect-ratio contact holes during etching is one of the main causes of these problems. In SiO2 etching using fluorocarbon gases, it is well known that a fluorocarbon film is deposited on the underlayer surface and sidewall of contact holes. It is also predicted that an increase in the conductivity of the fluorocarbon film deposited on the SiO2 sidewall markedly reduces the charging potential in the high-aspect-ratio contact holes because of the high conductivity of the deposited polymer. To clarify these phenomena, it is necessary to obtain quantitative measurements of the conductivity of the sidewall surfaces in contact holes. Therefore, we fabricated the sensing device using semiconductor production technology, and monitored sidewall current of SiO2 contact holes on the silicon wafer. The relationship between the chemical structure and sidewall current of the fluorocarbon films deposited in contact holes is investigated. We have found that highly cross-linked and unsaturated fluorocarbon polymer causes high sidewall conductivity in SiO2 contact holes. It is suggested that the deposited fluorocarbon film reduces the charging potential during the SiO2 etching process.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,001
Score d'incertitude au seuil0,002

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,014
Tête enseignante GPT0,206
Écart entre enseignants0,192 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations16
Publié2002
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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