Beyond microelectronics: materials and technology for nano-scale CMOS devices
Notice bibliographique
Résumé
The scaling of CMOS devices into the nanometer regime has required the introduction of new materials in field effect transistor fabrication. Foremost of these is the introduction or new gate dielectrics to replace the ultra-thin SiO2 films traditionally used. It has been found that these materials, such as ZrO2, HfO2 and Al 2O3, reduce gate leakage currents by 2–5 orders of magnitude. Unfortunately these new high-κ materials have also resulted in substantial electron and hole mobility reduction. However, with the introduction of strained silicon, in which mobilities have been recovered to the extent that even with the high-κ gate dielectrics improvements have been noted approaching 60%. Further increases in electron and more importantly hole mobilities have been discovered with the use of silicon substrates of either (110) or (111) orientations. However, the electron mobility had a significant decrease with the same substrates. Finally the introduction of metal gates has allowed scaling to continue by eliminating the capacitance of the poly-Si gate. Even though the requirements for such metal gates are quite restrictive, a number of candidates have been found. Such metal systems that might be used include particular Ru-Ta alloys gates for both nFETs and pFETs can be fabricated and perform as desired. Similarly, the use of a variety of nitrogen concentrations in TiN and TaN yields a range of acceptable work functions which might be applicable to either or both FET types. The introduction of these materials increases device performance but it is their integration into CMOS processes that will determine their utility. (© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.
Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,001 | 0,001 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,002 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,001 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,001 |
| Communication savante | 0,001 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».