The Effect of Silicide Processing on Stress Reduction in Silicon Device Structures with Strained SiGe Elements
Notice bibliographique
Résumé
Intrinsic mechanical stresses in device structures with strained SiGe and Ni silicide have been studied. Stresses in blanket films were derived from wafer curvatures after different stages of device processing. The measurement suggested that the temperature coefficient of NiSi linear expansion equals 1.16⋅10-5 K-1. Experiments showed that silicide films on epitaxial layers of SiGe compensated SiGe stresses in a much greater degree compared to what would follow from the thermal contraction model. Electron microscopy revealed that NiSi(Ge) films formed on SiGe had rough surfaces reducing overall stresses in Si/SiGe/NiSi structures. Computer simulations of MOSFETs with embedded SiGe Source/Drain regions indicated that partial consumption of SiGe layers at silicidation, tensile stress developed in NiSi films due to the thermal contraction and silicide-SiGe interface roughness might reduce compressive stresses in MOSFET channels by 15 - 40%.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».