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Enregistrement W2025281073 · doi:10.1063/1.1616636

Growth of high-<i>k</i> silicon oxynitride thin films by means of a pulsed laser deposition-atomic nitrogen plasma source hybrid system for gate dielectric applications

2003· article· en· W2025281073 sur OpenAlexafffund
E. Desbiens, My Alı El Khakani

Notice bibliographique

RevueJournal of Applied Physics · 2003
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensInstitut National de la Recherche Scientifique
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésPulsed laser depositionSilicon oxynitrideMaterials scienceThin filmAnalytical Chemistry (journal)DielectricDeposition (geology)SiliconHigh-κ dielectricOptoelectronicsNanotechnologySilicon nitrideChemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

High-k silicon oxynitride (SiOxNy) thin films have been successfully grown by means of a hybrid deposition process based on the combination of the pulsed laser deposition (PLD) plume of silicon species in an oxygen background together with a remote plasma-based atomic nitrogen source (ANS). This pulsed laser deposition-atomic nitrogen source (PLD-ANS) hybrid method is found to be highly effective for further nitrogen incorporation into SiOxNy films. At a laser intensity of 2.5×108 W/cm2 and a deposition temperature (Td) of 300 °C, it was shown that the N content of the SiOxNy films could be controlled over a concentration range as wide as 0–35 at. %, by controlling the partial pressure ratio of N to O2 in the deposition chamber. The structural and dielectric properties of the PLD-ANS SiOxNy films were systematically investigated as a function of their N content. Microstructural analyses revealed that the increasing incorporation of N into the SiOxNy films occurs through the formation of Si–N bonds to the detriment of Si–O ones. Both the dielectric constant (k) and the breakdown field of the SiOxNy thin films are found to increase significantly with N content. At the highest N content (35 at. %), the PLD-ANS films exhibit a high k-value of about 9.5 and a breakdown field as high as 19 MV/cm. It appears that Poole–Frenkel emission with compensation is the most predominant conduction mechanism in the SiOxNy films. By enabling control of the N content during deposition, the PLD-ANS approach provides the means to achieve desirable N profile engineering in the SiOxNy dielectric thin films.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,038
Score d'incertitude au seuil0,720

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,005
Tête enseignante GPT0,181
Écart entre enseignants0,176 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations14
Publié2003
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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