Prospects for band gap engineering by plasma ion implantation
Notice bibliographique
Résumé
Abstract The suitability of plasma ion implantation (PII) for band gap engineering will be examined by calculations of the band gap's spatial variation. Plasma Ion Implantation is a method to modify the surface and subsurface properties of materials; the ions surrounding the target are forced into all plasma exposed surfaces simultaneously by virtue of high‐voltage pulses. We calculated the fluence and the ion energy distribution from the dynamic sheath model. The distribution of the ions within the target is subsequently simulated by the TRIDYN software. The concentration profiles are converted into a spatial variation of the band gap. The challenges inherent to the method are discussed by means of the examples of carbon (C) PII in silicon (Si) as well as nitrogen (N) PII in gallium arsenide (GaAs). The ion distribution within the material of the former example is suitable for the formation of the Si‐C alloy. On the other hand, the distribution of N ions in GaAs prevents the formation of the Ga‐As‐N alloy. The discussed methods could be a powerful tool for the prediction of materials properties from the plasma processing parameters, thus helping to design materials. (© 2009 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,001 | 0,001 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,002 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,001 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».