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Enregistrement W2117283955 · doi:10.1149/1.3223985

Role of Heating on Plasma-Activated Silicon Wafers Bonding

2009· article· en· W2117283955 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.

Notice bibliographique

RevueJournal of The Electrochemical Society · 2009
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
Thématique3D IC and TSV technologies
Établissements canadiensMcMaster University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésSiliconWaferMaterials scienceSilicon oxidePlasma activationEtching (microfabrication)Surface roughnessAnodic bondingComposite materialWafer bondingOxideReactive-ion etchingPlasmaLayer (electronics)NanotechnologyOptoelectronicsMetallurgySilicon nitride

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

This paper reports on a comparative study of silicon wafer bonding using reactive ion etching (RIE) vs sequential plasma-activated bonding (SPAB). The study shows the measurement of silicon surface roughness and the investigation of heating influences on the bonding strength and microstructures of silicon∕silicon bonded interfaces as a function of the plasma processing parameters such as plasma time and gas pressure. In SPAB, the surfaces were activated using nitrogen radicals after treatment with RIE plasma for . The surface roughness created via RIE plasma is higher than that of the nitrogen radical. In both methods, although high strength bonding of silicon∕silicon interfaces was achieved before heating, bonding strength was reduced after heating except for the specimens activated for 10 and heated at in the RIE method. This reduction may be attributed to the growing number of voids generated across the bonded interface. High resolution transmission electron microscope observations showed a silicon oxide interfacial layer in the SPAB-processed silicon∕silicon interface, which is thicker than that of the RIE-processed interface without heating. After heating (at for in air), the thicknesses of the interfacial oxide layers were increased for both processes. The increased oxide layer thicknesses after heating are a result of the addition of thermally activated oxygen from water absorbed by the silicon bulk wafers and oxygen intrinsic to bulk silicon.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,003
Score d'incertitude au seuil0,262

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,005
Tête enseignante GPT0,202
Écart entre enseignants0,197 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle