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Enregistrement W2335460835 · doi:10.1115/ipack2013-73202

A Hierarchical Framework for Thermal Modelling of Electronic Devices: From Atoms to Chips

2013· article· en· W2335460835 sur OpenAlexafffund
David A. Romero, Elham Pakseresht, Daniel P. Sellan, Aydin Nabovati, Cristina H. Amon

Notice bibliographique

Revuenon disponible
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueThermal properties of materials
Établissements canadiensUniversity of Toronto
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaAdvanced Micro Devices
Mots-clésPhononThermal conductivitySiliconBoltzmann equationMaterials scienceLogic gateTransistorThermalElectronic engineeringStatistical physicsOptoelectronicsPhysicsCondensed matter physicsEngineeringThermodynamicsQuantum mechanicsVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In this work, we provide an overview of a hierarchical computational framework to predict thermal transport in electronic devices through integration of physics-based models at different length scales. Information from atomistic simulations at the smallest length scales are transferred to upper levels of the hierarchy, up to thermal models for the chip. The proposed methodology includes five levels of length scales in electronic devices, namely (i) atomistic level, (ii) thin film and nanowire level, (iii) transistor and logic gate level, (iv) functional block level, and (v) chip level. At the first level of the hierarchy, properties of energy carriers in a semiconductor material (e.g., phonons) are obtained from atomistic level simulations, such as Molecular Dynamics (MD) and Lattice Dynamics (LD) calculations. At the second level, thermal transport in thin silicon films is modelled using a Lattice Boltzmann Method (LBM) for phonons. The outcome of these simulations is a size-dependent thermal conductivity for silicon films. At the third level of the hierarchy, these effective thermal conductivities are used in thermal modelling of logic gates. Detailed structures of different types of logic gates are reconstructed based on different manufacturing technologies (MOSFET and FinFET) at different technology nodes. Since the characteristic sizes of different parts of the logic gates are comparable to the mean free path of energy carriers, we use the size-dependent, effective thermal conductivities that were calculated at lower levels of the hierarchy to build simulation models for the logic gates. Based on these models, we calculate an equivalent thermal conductance for the logic gates, which would then be used in the upper level simulations to determine an equivalent thermal conductance for different functional blocks of the die based on their internal structure and the number and type of logic gates found in each functional block. Overall, the proposed hierarchical model enables us to include the effect of atomistic-level physics into package-level simulations, and thus, have an accurate prediction of thermal transport in an electronic device.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,002
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Simulation ou modélisation · Signal consensuel: Simulation ou modélisation
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: aucune
Score de désaccord entre enseignants0,010
Score d'incertitude au seuil0,019

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,002
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0010,001
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,002
Bibliométrie0,0010,001
Études des sciences et des technologies0,0010,002
Communication savante0,0020,002
Science ouverte0,0030,002
Intégrité de la recherche0,0020,002
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0030,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,036
Tête enseignante GPT0,249
Écart entre enseignants0,213 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeSimulation ou modélisation
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2013
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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