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Enregistrement W2515899755 · doi:10.1063/1.4962091

Plasma etching applications in concentrated photovoltaic cell fabrication

2016· article· en· W2515899755 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueAIP conference proceedings · 2016
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
Thématiquesolar cell performance optimization
Établissements canadiensInstitut interdisciplinaire d'innovation technologiqueUniversité de Sherbrooke
Organismes subventionnairesCentre National de la Recherche ScientifiqueUniversité de Sherbrooke
Mots-clésWafer dicingWaferOptoelectronicsMaterials scienceEtching (microfabrication)Plasma etchingFabricationPassivationSolar cellPhotovoltaic systemPlasmaDry etchingNanotechnologyElectrical engineeringLayer (electronics)Engineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Photovoltaic cells are conventionally electrically isolated (isolation) and then separated from the wafer (singulation) by saw dicing at the end of the fabrication process. However, saw dicing presents limitations in terms of cell shapes and causes excessive material losses. We propose isolation and singulation by plasma etching as an alternative to saw dicing. The etching process proposed also allows via hole etching for through cell via contacts (TCVC) [1]. This technology uses isolated metallized vias to carry front-side generated carriers to the backside. This new architecture could increase the efficiency and increase the energy production per wafer for concentrated photovoltaic (CPV) cells. In this paper, those two plasma etching applications for CPV cell fabrication are discussed. More precisely, triple junction solar cells have been fabricated with either a plasma singulation or with via holes and compared with reference cells (without via hole and saw dicing singulation). One sun IV measurements, external quantum efficiency (EQE) and 100 suns IV characteristics show that no performance losses can be observed on cells with plasma singulation. Via hole etching induces open circuit voltage (VOC) and fill factor (FF) losses below 3 % that can be recovered with a surface passivation.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,880
Score d'incertitude au seuil0,516

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,001
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,010
Tête enseignante GPT0,202
Écart entre enseignants0,191 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle