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Enregistrement W2604397886 · doi:10.1116/1.4979709

Atomic layer deposited ultrathin metal nitride barrier layers for ruthenium interconnect applications

2017· article· en· W2604397886 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueJournal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films · 2017
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueCopper Interconnects and Reliability
Établissements canadiensCanadian Light Source (Canada)
Organismes subventionnairesDivision of Materials ResearchNational Institute of General Medical SciencesWestern Economic Diversification CanadaNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaCanadian Institutes of Health ResearchNational Research Council CanadaCanada Foundation for InnovationNational Science FoundationNational Institutes of HealthUniversity of SaskatchewanCanadian Light Source
Mots-clésMaterials scienceOverlayerDiffusion barrierAtomic layer depositionSilicideBarrier layerRutheniumTantalum nitrideTinChemical engineeringAnnealing (glass)Chemical vapor depositionCrystallinityNitrideNanotechnologyLayer (electronics)OptoelectronicsComposite materialMetallurgyChemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Resistance capacitance time delay in Cu interconnects is becoming a significant factor requiring further performance improvements in future nanoelectronic devices. Choice of alternate interconnect materials, for example, refractory metals, and subsequent integration with underlying barrier and liner layers are extremely challenging for the sub-10 nm nodes. The development of conformal deposition processes for alternate interconnects, liner, and barrier materials are crucial in order for implementation of a possible replacement for Cu interconnects for narrow line widths. In this study, the authors report on ultrathin (∼3 nm) chemical vapor deposition (CVD) grown ruthenium films on 0.5 and 1 nm thick metal nitride (TiN, TaN) barrier layers deposited via atomic layer deposition (ALD). Using scanning electron microscopy, the authors determined the effect of the underlying barrier layer on the coverage of the ruthenium overlayer. The authors utilized synchrotron x-ray diffraction with in situ rapid thermal annealing to investigate the thermal stability of the barrier layers and determine the effective activation energies of barrier failure leading to ruthenium monosilicide formation. For Ru films deposited directly on Si and on 0.5 nm MN (M = Ti, Ta) covered Si substrates, silicide formation proceeds via a two-step crystallization process involving lateral nucleation above ∼440 °C followed by thickening of the ruthenium monosilicide layer above ∼520 °C. This silicidation temperature of ∼440 °C could be potentially problematic in back-end-of-the-line (BEOL) processing since it is close to the typical thermal budget used. However ∼1 nm thick ALD MN (M = Ti, Ta) was found to be adequate to block silicide formation up to ∼580 and ∼620 °C for TiN and TaN, respectively, and also aided in superior coverage of the CVD ruthenium overlayer (>90%). The results reported here might be useful to ascertain annealing temperature and time for BEOL process and integration optimization without reaching a state where ruthenium silicides start forming.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,002
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,001
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesÉtudes des sciences et des technologies
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,011
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0020,001
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0010,000
Études des sciences et des technologies0,0020,002
Communication savante0,0010,001
Science ouverte0,0020,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,016
Tête enseignante GPT0,291
Écart entre enseignants0,275 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle