MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W2621327990 · doi:10.1109/irps.2017.7936364

Impact of SiO<inf>2</inf>/Si interface micro-roughness on SILC distribution and dielectric breakdown: A comparative study with atomically flattened devices

2017· article· en· W2621327990 sur OpenAlexaff
Hyeonwoo Park, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa

Notice bibliographique

Revuenon disponible
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensHatch (Canada)
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésSILCDielectricMaterials scienceOxideElectric fieldCondensed matter physicsPhysicsOptoelectronicsTopology (electrical circuits)Electrical engineeringQuantum tunnellingEngineeringQuantum mechanics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Stress Induced Leakage Current (SILC) limits the scaling of tunnel oxide of flash memory, because it increases with the decrease of the tunnel oxide thickness. Especially, anomalously large SILC that appears on the local spots can cause bit errors. We measured Q <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">bd</sub> and SILC characteristics of the MOSFETs with the conventional and the atomically flattened SiO <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">2</sub> /Si interfaces, and the impact of the micro-roughness on Q <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">bd</sub> and SILC has been investigated. It was found that both the numbers of the defects inducing Q <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">bd</sub> and anomalous SILC are reduced by introducing the atomically flat SiO <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">2</sub> /Si interface. And the calculated excess electric field at a projecting part is approximately 5% larger than the atomically flat part by the SILC distribution and the electric field concentration simulation. It indicates that the SiO2/Si interface micro-roughness is one of the origins that induce both the anomalous SILC and early failure in dielectric breakdown, due to localized electric field concentration effect.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,700
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,017
Tête enseignante GPT0,282
Écart entre enseignants0,265 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations4
Publié2017
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207