A Study of The Low Frequency-Dependent PbO Based Schottky Barrier Diode
Pourquoi ce travail est-il dans la base ?
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.
Dossier post-publication
- Nature
- Retraction
- Motif
- Euphemisms for Plagiarism;Plagiarism of/in Article;
- Date
- 4/28/2018 0:00
- Signalé par OpenAlex ?
- Oui
Source : Retraction Watch, jointe par DOI. OpenAlex consigne la rétractation dans is_retracted, un booléen sur un espace d'états à au moins quatre valeurs ; il ne peut donc exprimer ni une expression de préoccupation, ni une correction, ni un rétablissement, et les rapporte comme false, ce qui se lit comme « rien à signaler ».
Scores machine (provisoires)
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
- Écart entre enseignants
- 0,226 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
- Statut de validation
score_only:v0-immature-baseline· tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle
Résumé
Low-frequency characteristics of the lead oxide (PbO) based Schottky barrier diode was investigated in this study. PbO thin film has been successfully grown on p-type Si substrate. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the metal-oxide (Al/PbO/pSi) were measured at the low frequency range from 10 kHz to 100 kHz. Electrical properties including barrier height (φb), Fermi level (EF), the width of the depletion region (WD), series resistance (Rs) and interface states (Dit) of the diode have been analyzed by using C-V and G/w-V characteristics. It was found that the values of C and G decreased by the increasing frequency. C-V and G-V measurements have been shown that series resistance, interface states play an important role in understanding the electrical parameters of Al/PbO/p-Si structure.
Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.
La notice
- Revue
- Canadian Journal of Physics
- Thématique
- Semiconductor materials and interfaces
- Domaine
- Physics and Astronomy
- Établissements canadiens
- —
- Organismes subventionnaires
- —
- Mots-clés
- PhysicsSchottky diodeSchottky barrierDiodeOptoelectronicsAtomic physics
- Résumé présent dans OpenAlex
- oui