High-Frequency Characteristics of Al/ZnO/p-Si Schottky Barrier Diode
Pourquoi ce travail est-il dans la base ?
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.
Dossier post-publication
- Nature
- Retraction
- Motif
- Euphemisms for Plagiarism;Plagiarism of/in Article;
- Date
- 4/27/2018 0:00
- Signalé par OpenAlex ?
- Oui
Source : Retraction Watch, jointe par DOI. OpenAlex consigne la rétractation dans is_retracted, un booléen sur un espace d'états à au moins quatre valeurs ; il ne peut donc exprimer ni une expression de préoccupation, ni une correction, ni un rétablissement, et les rapporte comme false, ce qui se lit comme « rien à signaler ».
Résumé
High-frequency characteristics of Al/ZnO/p-Si Schottky barrier diode have been investigated in this study. ZnO layer has been successfully grown on Si substrate with 280 μm thickness and 10 ohm.cm resistivity. The ohmic (back contact) and Schottky (circular dots) contacts can be fabricated by the thermal evaporation technique. The fabrication of the ohmic and Schottky contacts was performed in vacuum (2.7x10-7 kPa). The capacitance-voltage (C-V) and conductance (G-V) characteristics of Al/ZnO/p-Si Schottky barrier diode (metal-oxide-semiconductor structure-MOS) were investigated at the high-frequency range from 200 kHz to 1 MHz at room temperature. By using C-V and G-V measurement, electrical properties including barrier height, Fermi level, the width of the depletion region, series resistance and interface states were investigated. The C-V and G-V characteristics confirm that interface state density and series resistance of the diode are important parameters that strongly influence the electrical paramet...
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La notice
- Revue
- Canadian Journal of Physics
- Thématique
- Semiconductor materials and interfaces
- Domaine
- Physics and Astronomy
- Établissements canadiens
- —
- Organismes subventionnaires
- Gazi Üniversitesi
- Mots-clés
- PhysicsSchottky barrierOptoelectronicsDiodeSchottky diodeMetal–semiconductor junction
- Résumé présent dans OpenAlex
- oui