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Enregistrement W2920341563 · doi:10.1149/ma2018-02/11/592

(Invited) Structural Properties and Carrier Transport in Axial Silicon-Germanium Nanowire Heterojunctions

2018· article· en· W2920341563 sur OpenAlexaff
Leonid Tsybeskov, Xiaolu Wang, T. I. Kamins, Xiaohua Wu, D. J. Lockwood

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2018
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueSemiconductor materials and interfaces
Établissements canadiensNational Research Council Canada
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésHeterojunctionNanowireMaterials scienceSemiconductorOptoelectronicsChemical vapor depositionRaman spectroscopyGermaniumSiliconPhotoluminescenceNanotechnologyOptics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Recent advances in forming semiconductor heterojunctions within spatially confined nanoscale objects, including nanowires (NWs), show that the traditional limitations in the lattice-mismatched hetero-growth can be challenged. In various III-V semiconductor NWs, abrupt heterojunctions have been successfully demonstrated using the vapor-liquid-solid (VLS) growth for GaAs/InAs (7% mismatch) and InAs/InP (3% mismatch) heterojunctions. In group IV semiconductors, the approach is complicated not only by the 4.2% lattice mismatch between Si and Ge but also because Si and Ge both have a quite high solubility in the Au-Si catalyst. During chemical vapor deposition (CVD) based VLS growth using SiH 4 and GeH 4 (or similar gases), a supply of Si remains effectively “on” in the catalyst, and Si effectively intermixes with the arriving Ge even if the SiH 4 flow is already switched “off”. One way to address this problem is to choose a catalyst with a lower Si solubility, e.g. AlAu 2 and AgAu. Another possibility is to significantly reduce growth temperature before turning a GeH 4 source “on”. Using the latter technique, we fabricated Si-Ge heterojunction NWs with nearly ideal interface and only an 8 nm thick SiGe transition layer between straight and nearly micron-long Si and Ge NW segments and analyzed their structural and electrical properties. The observed changes in the photoluminescence and Raman spectra as function of temperature, non-linear and rectifying current-voltage characteristics, strong flicker noise and damped current oscillations with frequencies of 20-30 MHz are explained using the proposed SiGe heterojunction NW energy band diagram including the energy states associated with the NW surface (and near-surface) structural imperfections revealed by transmission electron microscopy and a mismatch in Si and Ge coefficients of thermal expansion.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,029
Score d'incertitude au seuil0,578

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,022
Tête enseignante GPT0,235
Écart entre enseignants0,214 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2018
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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