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Enregistrement W2973268939 · doi:10.1039/c9nr06403f

Programmable, electroforming-free TiO<sub>x</sub>/TaO<sub>x</sub> heterojunction-based non-volatile memory devices

2019· article· en· W2973268939 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueNanoscale · 2019
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueAdvanced Memory and Neural Computing
Établissements canadiensRegional Municipality of WaterlooUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésElectroformingMaterials scienceHeterojunctionOptoelectronicsNanotechnology

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Electroforming-free resistive switching in memristors is essential to reliably achieving the performance of high switching speed, high endurance, good signal retention, and low power consumption expected for next-generation computing devices. Although there have been various approaches to resolve the issues observed with the electroforming process in oxide-based memory devices, most of them end up having high SET and RESET voltages and short lifetimes. We present a heterojunction interface of oxygen-vacancy-defect-rich ultrananocrystalline TiOx and TaOx films used as the switching matrix, which enables high-quality electroforming-free switching with a much lower programming voltage (+0.5-0.8 V), a high endurance of over 104 cycles and good retention performance with an estimated device lifetime of over 10 years. The electroforming-free switching behavior is governed by migration of oxygen vacancies driven by electric field localization that is imposed by the ultrananocrystalline nature of the TaOx film, serving as the switching matrix, with the TiOx film serving as an additional oxygen vacancy source to reduce the overall resistivity of TaOx and provide low-bias rectification. The ability to perform electroforming-free resistive switching along with excellent switching repeatability and retention capabilities for various digital and analog programmable voltages enables high scalability and large density integration of the cross-bar ReRAM framework.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,023
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,001
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,001
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,006
Tête enseignante GPT0,198
Écart entre enseignants0,192 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle