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Enregistrement W4252723999 · doi:10.1149/ma2018-02/31/1059

(Invited) Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials

2018· article· en· W4252723999 sur OpenAlexaboutno aff
Masashi Kurosawa, Yukihiro Imai, Taisei Iwahashi, Kouta Takahashi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2018
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueAdvanced Thermoelectric Materials and Devices
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMaterials scienceThermoelectric effectSeebeck coefficientEpitaxyMolecular beam epitaxyThermal conductivityWaferThermoelectric materialsFigure of meritDopingSubstrate (aquarium)OptoelectronicsElectrical resistivity and conductivityGermaniumSiliconLayer (electronics)NanotechnologyComposite materialElectrical engineeringThermodynamics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Sequential integration of thermoelectric generators (TEGs) on a silicon wafer is essential for next-generation electronics such as internet-of-things sensing network as an energy-harvesting device. A guideline of thermoelectric performance is defined as dimensionless figure of merit, zT = S 2 σT / κ , which is calculated from Seebeck coefficient ( S ), electrical conductivity ( σ ), thermal conductivity ( κ ), and absolute temperature ( T ). Germanium tin (Ge 1 − x Sn x ) binary alloys theoretically possess a low κ [1] and a high σ [2], implying that Ge 1 − x Sn x enables high-performance TEGs. In our previous study on the thermal conductivity of Ge 1 − x Sn x epitaxial layer grown on (001)-oriented Ge [3], it was revealed that a very low κ of 2.0 W/mK was obtained for a Ga-doped Ge 0.929 Sn 0.071 epitaxial layer. The value is at least 77 and 30 times lower than that for bulk-Si (156 W/mK) and bulk-Ge (60 W/mK) [4], respectively, and same order with that for amorphous Si (1−2 W/mK) [5]. However, thermoelectric properties of the epitaxial layers could not be clarified because the underlying substrates were not electrical insulators. It is therefore, in this study, we aim to reveal thermoelectric properties of Ge 1 − x Sn x epitaxial layers with a wide range of Sn contents grown by low-temperature molecular beam epitaxy. Here, semi-insulating wafers of Si, GaAs, and InP were used as a substrate in order to isolate electrically from the substrates. Combined with the results for the polycrystalline films, we will establish a guideline for enhancing the zT value in narrow band-gap group-IV materials. Acknowledgments: This work was partially supported by Grants-in-Aid for Scientific Research (S) (Grant No. 26220605) and Young Scientists (A) (Grant No. 17H04919) from JSPS in Japan and PRESTO (Grant No. JPMJPR15R2) from JST in Japan. References: [1] S. N. Khatami and Z. Aksamiji, Phys. Rev. Appl. 6 , 014015 (2016). [2] K. L. Low et al. , J. Appl. Phys. 112 , 103715 (2012). [3] M. Kurosawa et al. , “Thermophysical characterizations of Ge 1 − x Sn x epitaxial layers aiming for thermoelectric device,” 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Hetero-structures (ICSI-9), Montreal, Canada, 4.4.1, May 21, (2015). [4] C. J. Glassbrenner and G. A. Slack, Phys. Rev. 134 , A1058 (1964). [5] D. G. Cahill et al. , J. Vac. Sci. Technol. A 7 , 1259 (1989).

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,006
Score d'incertitude au seuil0,708

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,011
Tête enseignante GPT0,231
Écart entre enseignants0,221 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2018
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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