Engineering Silicon Oxide by Argon Ion Implantation for High Performance Resistance Switching
Notice bibliographique
Résumé
We report that implanting argon ions into a film of uniform atomic layer deposition (ALD)-grown SiOx enables electroforming and switching within films that previously failed to electroform at voltages <15 V. We note an implantation dose dependence of electroforming success rate: electroforming can be eliminated when the dosage is high enough. Our devices are capable of multi-level switching during both set and reset operations, and multiple resistance states can be retained for more than 30,000 s under ambient conditions. High endurance of more than 7 million (7.9 × 106) cycles is achieved alongside low switching voltages (±1 V). Comparing SiOx fabricated by this approach with sputtered SiOx we find similar conduction mechanisms between the two materials. Our results show that intrinsic SiOx switching can be achieved with defects created solely by argon bombardment; in contrast to defects generated during deposition, implantation generated defects are potentially more controllable. In the future, noble ion implantation into silicon oxide may allow optimization of already excellent resistance switching devices.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,001 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».