Study of electrical properties of Al/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/<i>n</i>-GaAs MIS capacitors deposited at low and high frequency PECVD
Notice bibliographique
Résumé
As for silicon, surface passivation of GaAs and III-V semiconductors using silicon nitride (Si3N4) deposited by plasma enhanced chemical deposition (PECVD) is widely used to improve devices and circuits stability, reliability and for encapsulation. In this work, the effect of plasma excitation frequency in the PECVD reactor on the surface passivation efficiency of GaAs during Si3N4 deposition was investigated. Metal-Insulator-Semiconductor (Al/Si3N4/n-GaAs) capacitors are fabricated and characterized using capacitance–voltage (C–V), and conductance–voltage (G–V) to compare electronic properties of GaAs/Si3N4 interfaces depending on the use of a high frequency PECVD (HF-PECVD) or low frequency (LF-PECVD) process. The drastic advantage of using the LF-PECVD technique for the passivation of GaAs is clearly demonstrated on the characteristic C–V at 1 MHz where a good surface potential was observed, while a quasi-pinned surface Fermi level was found when HF-PECVD was used. To unpin Fermi level, a sulfur pre-treatment prior before HF-PECVD deposition and post-metallisation annealing were necessary. A lower frequency dispersion and a lower hysteresis indicating low densities of slow traps were observed for MIS devices fabricated by LF-PECVD. The advantage of having an efficient passivation without sulfur treatment is important since ammonium sulfide used for this purpose is corrosive and difficult to adapt in industrial environment. The better electronic properties of GaAs/Si3N4 interface were found for silicon nitride layers using LF-PECVD deposition. This can probably be associated with the high-level injection of H+ ions on the semiconductor surface reducing thus the native oxides during the initial steps of dielectric deposition.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,001 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».