Review of Carbon Nanotube Field Effect Transistor for Nanoscale Regime
Notice bibliographique
Résumé
Background: The need for high performance, small size, low delay, low power consumption, and long battery backup of portable systems is increasing with the advancement of technology. Many features of portable systems can be improved using scaling methods. In the scaling process, reducing the size of devices causes serious difficulties, including the short channel effect (SCE) and leakage current, which degenerates the characteristics of the systems. Objective: In this review paper, a trending carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) technology is discussed in detail. CNTFET can replace the conventional metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) technology to overcome the SCE problems in the nanoscale regime and also meet the requirements of portable systems. Methods: The CNTFET is an extremely good nanoscale technology due to its one-dimension band structure, high transconductance, high electron mobility, superior control over channel formation, and better threshold voltage. This technology is used to construct high-performance and low-power circuits by replacing the MOSFET technology. CNTFET in comparison to MOSFET takes the carbon nanotube (CNT) as a channel region. Results: The value of threshold voltage in CNTFET changes with the diameter of CNT. The threshold voltage of the devices controls many parameters at the circuit-level design. Hence, the detailed operation and the characteristics of CNTFET devices are presented in this review paper. The existing CNTFET-based ternary full adder (TFA) circuits are also described in this review paper for the performance evaluation of different parameters. Conclusion: CNTFET technology is the possible solution for the SCE in the nanoscale regime and is capable to design efficient logic circuits. The circuits using the CNTFET technology can provide better performance and various advantages, including fast speed, small area, and low power consumption, in comparison to the MOSFET circuits. Thus, CNTFET technology is the best choice for circuit designs at the nanoscale.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,001 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,001 | 0,001 |
| Bibliométrie | 0,002 | 0,002 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,001 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,001 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,001 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,006 | 0,002 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».