MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W4400646716 · doi:10.1109/jeds.2024.3428969

Investigation of the DC Performance and Linearity of InAlN/GaN HFETs via Studying the Impact of the Scaling of L<sub>GS</sub> and L<sub>G</sub> on the Source Access Resistance

2024· article· en· W4400646716 sur OpenAlexafffund
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh

Notice bibliographique

RevueIEEE Journal of the Electron Devices Society · 2024
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensConcordia University
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésTransconductanceLinearityMaterials scienceScalingOptoelectronicsTransistorHigh-electron-mobility transistorHeterojunctionPhysicsElectrical engineeringTopology (electrical circuits)MathematicsQuantum mechanicsEngineeringVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the output characterises and gate-transconductance (Gm) linearity of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fin structures only under the gate and those having them stretched from source to drain. Evidence for both device types suggests that the downscaling of LGS and LG augments the electron velocity in the source-access region, as a result of which the higher carrier density under the gated-channel improves the maximum drain-current density but not necessarily the <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$G_{m}$ </tex-math></inline-formula> linearity of the device. It is shown that the devices having a planar and longer source access region are exhibiting relatively improved gate-transconductance linearity. This is suggested to be due to their almost constant source access resistance (Rs). In addition, the downscaling of the LG is observed to have a positive influence on device linearity. This observation could be due to the larger exposure to the drain-induced barrier lowering (DIBL) and the resulting rush of the carriers from the source access region to the gated-channel, leading to the suppression of the increasing <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$R_{s}$ </tex-math></inline-formula> at higher drain currents.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,002
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,045
Score d'incertitude au seuil0,356

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0020,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,020
Tête enseignante GPT0,264
Écart entre enseignants0,244 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2024
Routes d'admission2
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueIEEE Journal of the Electron Devices SocietyMême sujetGaN-based semiconductor devices and materialsTravaux en français237 207