Short channel vertical transistors with excellent saturation characteristics
Notice bibliographique
Résumé
The use of a vertical thin film transistor (VTFT) topology in the flat panel active matrix array, opens up a plethora of new high performance applications. The VTFT is small in footprint by virtue of its stacked layer configuration, in which channel lengths can be conveniently scaled down to nanometer regime without having to resort to photolithography as would otherwise be needed when scaling lateral TFTs. More importantly, the VTFT is also fully compatible to the materials and processes used in flat panel technology, takes making it amenable to large area scaling. In the VTFT, the source and drain electrodes are vertically stacked and separated by an intermediate insulator layer. The channel is formed on the vertical sidewall of the source/insulator/drain stack. Since the thickness of intermediate insulator layer defines the channel length, this can now be accurately controlled at the nanometer scale via the thickness of the insulator layer. While nanoscale channel length VTFTs in amorphous silicon (a-Si) have been demonstrated previously, one of the biggest issues was the lack of good saturation behavior at high drain voltages, which made reduction of the gate dielectric thickness mandatory. However, reducing the gate dielectric thickness leads to high gate leakage and early dielectric breakdown. This presentation is on short-channel VTFTs with excellent saturation characteristics, achieved by an ultra-thin silicon nitride (SiNx) gate dielectric using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.
Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,003 | 0,001 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».