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Enregistrement W2063170916 · doi:10.1109/drc.2009.5354935

Short channel vertical transistors with excellent saturation characteristics

2009· article· en· W2063170916 sur OpenAlexaff
Maryam Moradi, Arokia Nathan, Hanna M. Haverinen, Ghassan E. Jabbour

Notice bibliographique

Revuenon disponible
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensIGNIS Innovation (Canada)
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMaterials scienceOptoelectronicsDielectricTransistorGate dielectricSilicon on insulatorPlasma-enhanced chemical vapor depositionThin-film transistorChemical vapor depositionPhotolithographyAmorphous solidLeakage (economics)Amorphous siliconInsulator (electricity)Silicon nitrideSaturation (graph theory)SiliconElectrical engineeringNanotechnologyLayer (electronics)VoltageCrystalline siliconEngineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The use of a vertical thin film transistor (VTFT) topology in the flat panel active matrix array, opens up a plethora of new high performance applications. The VTFT is small in footprint by virtue of its stacked layer configuration, in which channel lengths can be conveniently scaled down to nanometer regime without having to resort to photolithography as would otherwise be needed when scaling lateral TFTs. More importantly, the VTFT is also fully compatible to the materials and processes used in flat panel technology, takes making it amenable to large area scaling. In the VTFT, the source and drain electrodes are vertically stacked and separated by an intermediate insulator layer. The channel is formed on the vertical sidewall of the source/insulator/drain stack. Since the thickness of intermediate insulator layer defines the channel length, this can now be accurately controlled at the nanometer scale via the thickness of the insulator layer. While nanoscale channel length VTFTs in amorphous silicon (a-Si) have been demonstrated previously, one of the biggest issues was the lack of good saturation behavior at high drain voltages, which made reduction of the gate dielectric thickness mandatory. However, reducing the gate dielectric thickness leads to high gate leakage and early dielectric breakdown. This presentation is on short-channel VTFTs with excellent saturation characteristics, achieved by an ultra-thin silicon nitride (SiN <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">x</sub> ) gate dielectric using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,280
Score d'incertitude au seuil0,284

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,010
Tête enseignante GPT0,192
Écart entre enseignants0,182 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2009
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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