Surface passivation of high‐efficiency silicon solar cells by atomic‐layer‐deposited Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
Pourquoi ce travail est-il dans la base ?
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.
Scores machine (provisoires)
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
- Écart entre enseignants
- 0,251 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
- Statut de validation
score_only:v0-immature-baseline· tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle
Résumé
Abstract Atomic‐layer‐deposited aluminium oxide (Al 2 O 3 ) is applied as rear‐surface‐passivating dielectric layer to passivated emitter and rear cell (PERC)‐type crystalline silicon (c‐Si) solar cells. The excellent passivation of low‐resistivity p ‐type silicon by the negative‐charge‐dielectric Al 2 O 3 is confirmed on the device level by an independently confirmed energy conversion efficiency of 20·6%. The best results are obtained for a stack consisting of a 30 nm Al 2 O 3 film covered by a 200 nm plasma‐enhanced‐chemical‐vapour‐deposited silicon oxide (SiO x ) layer, resulting in a rear surface recombination velocity (SRV) of 70 cm/s. Comparable results are obtained for a 130 nm single‐layer of Al 2 O 3 , resulting in a rear SRV of 90 cm/s. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.
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La notice
- Revue
- Progress in Photovoltaics Research and Applications
- Thématique
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Domaine
- Engineering
- Établissements canadiens
- —
- Organismes subventionnaires
- Institute of Gender and HealthStichting voor de Technische Wetenschappen
- Mots-clés
- PassivationMaterials scienceSiliconLayer (electronics)AluminiumAluminium oxideDielectricCommon emitterSolar cellOxideAluminum oxideEnergy conversion efficiencyOptoelectronicsStack (abstract data type)Atomic layer depositionAnalytical Chemistry (journal)NanotechnologyMetallurgyChemistry
- Résumé présent dans OpenAlex
- oui