Hf1−xZrxO2 and HfO2/ZrO2 gate dielectrics with extremely low density of interfacial defects using low temperature atomic layer deposition on GaN and InP
Notice bibliographique
Résumé
Achieving a negative capacitance field effect transistor with a subthreshold swing beyond the Boltzmann limit requires a “defect-free” dielectric-semiconductor interface. We grew alloyed (Hf1−xZrxO2) and stacked (HfO2/ZrO2) gate dielectrics on GaN and InP substrates using low temperature plasma enhanced atomic layer deposition. In situ ellipsometry data show that alloying hafnia with zirconia reduces the refractive index and widens the bandgap. The stacked and alloyed structures reveal very low capacitance-voltage hysteresis of 35 and 45 mV, respectively, on GaN. The density of interfacial traps as low as 1.12 × 1010 cm−2 eV−1 was achieved on GaN mainly due to the combination of very low dielectric growth temperature (100 °C) and high postfabrication heat treatment temperature (510 °C). The conduction and valence band offsets of the alloyed gate dielectrics on InP were measured and compared to pure zirconia using a combination of x-ray photoelectron spectroscopy and ellipsometry. The alloyed structures show a wider bandgap, larger conduction band offset, and smaller valence band offset compared to pure zirconia. This was attributed to the increase in the valence band width with hafnia addition, which reduces the alloyed gate dielectric’s valence band offset. We resolved the band structure alignement to be type I with band offsets of 3.53 eV for electrons and 1.03 eV for holes in Hf0.25Zr0.75O2/InP heterojunctions. The results allow for a clear and detailed picture of two distinct growth procedure that affect the interfacial defect concentration.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».